IXTA14N60P

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IXTA14N60P概述

N沟道 600V 14A

表面贴装型 N 通道 600 V 14A(Tc) 300W(Tc) TO-263(IXTA)


立创商城:
N沟道 600V 14A


得捷:
MOSFET N-CH 600V 14A TO263


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 600V 14A 3-Pin2+Tab D2PAK


IXTA14N60P中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 14.0 A

耗散功率 300W Tc

输入电容 2.30 nF

栅电荷 36.0 nC

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

输入电容Ciss 2500pF @25VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA14N60P
型号: IXTA14N60P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N沟道 600V 14A
替代型号IXTA14N60P
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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IXYS Semiconductor

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完全替代

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