IXTP08N50D2

IXTP08N50D2图片1
IXTP08N50D2图片2
IXTP08N50D2图片3
IXTP08N50D2图片4
IXTP08N50D2图片5
IXTP08N50D2概述

TO-220AB N-CH 500V 0.8A

N-Channel 500V 800mA Tc 60W Tc Through Hole TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 500V 800MA TO220AB


贸泽:
MOSFET N-CH MOSFETS 500V 800MA


艾睿:
Use Ixys Corporation&s;s IXTP08N50D2 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 60000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 0.8A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXTP08N50D2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 4.6 Ω

极性 N-CH

耗散功率 60 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 0.8A

上升时间 54 ns

输入电容Ciss 312pF @25VVds

下降时间 52 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP08N50D2
型号: IXTP08N50D2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220AB N-CH 500V 0.8A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台