N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷) 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Q3 系列
HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用,可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装,包括隔离类型,带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流-直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。
快速本质整流器二极管
低 RDS(接通)和 QG(栅极电荷)
低本质栅极电阻
工业标准封装
低封装电感
高功率密度
### MOSFET ,IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
欧时:
MOSFET Nch 1000V 32A Q3 HiPerFET PLUS247
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, Q3-Class, N沟道, 1 kV, 32 A, 0.32 ohm, PLUS247, 通孔
艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Ixys Corporation&s;s IXFX32N100Q3 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1250000 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin3+Tab PLUS 247
Newark:
MOSFET, N-CH, 1KV, 32A, PLUS247
针脚数 3
漏源极电阻 0.32 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.25 kW
阈值电压 6.5 V
漏源极电压Vds 1 kV
连续漏极电流Ids 32A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 10990pF @25VVds
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1250W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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IXFX32N100Q3 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
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