IXFR18N90P

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IXFR18N90P概述

ISOPLUS N-CH 900V 10.5A

N-Channel 900V 10.5A Tc 200W Tc Through Hole ISOPLUS247™


得捷:
MOSFET N-CH 900V 10.5A ISOPLS247


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 900V 10.5A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247


IXFR18N90P中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 200W Tc

漏源极电压Vds 900 V

连续漏极电流Ids 10.5A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 5230pF @25VVds

额定功率Max 200 W

下降时间 44 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFR18N90P
型号: IXFR18N90P
制造商: IXYS Semiconductor
描述:ISOPLUS N-CH 900V 10.5A

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