IXTU05N100参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTU05N100概述

Mosfet n-Ch 1000V 750mA To-251

N-Channel 1000V 750mA Tc 40W Tc Through Hole TO-251

得捷:
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO251

Win Source:
MOSFET N-CH 1000V 750MA TO-251

IXTU05N100中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 40W Tc

漏源极电压Vds 1000 V

输入电容Ciss 260pF @25VVds

耗散功率Max 40W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTU05N100

型号： IXTU05N100

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Mosfet n-Ch 1000V 750mA To-251

替代型号IXTU05N100