IXTY1N80概述
TO-252AA N-CH 800V 0.75A
N-Channel 800V 750mA Tc 40W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO252AA
贸泽:
MOSFET 1 Amps 800 V 11 W Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.75A 3-Pin2+Tab TO-252AA
IXTY1N80中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 11 Ω
极性 N-CH
耗散功率 40 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 0.75A
上升时间 19 ns
输入电容Ciss 220pF @25VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 40W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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