IXTT100N25P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTT100N25P概述

IXTT 系列单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268

表面贴装型 N 通道 250 V 100A（Tc） 600W（Tc） TO-268AA

得捷:
MOSFET N-CH 250V 100A TO268

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin2+Tab TO-268

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 100A; 600W; TO268

Verical:
Trans MOSFET N-CH 250V 100A 3-Pin2+Tab TO-268

IXTT100N25P中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 600 W

漏源极电压Vds 250 V

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 6300pF @25VVds

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT100N25P

型号： IXTT100N25P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IXTT 系列单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268

替代型号IXTT100N25P