IXTT64N25P参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTT64N25P概述

Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin2+Tab TO-268

N-Channel 250V 64A Tc 400W Tc Surface Mount TO-268

得捷:
MOSFET N-CH 250V 64A TO268

贸泽:
MOSFET 64 Amps 250V 0.049 Rds

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3-Pin2+Tab TO-268

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 400W; TO268

IXTT64N25P中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 49 mΩ

耗散功率 400 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 3450pF @25VVds

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 400W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 14 mm

宽度 16.05 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTT64N25P

型号： IXTT64N25P

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 250V 64A 3Pin2+Tab TO-268

替代型号IXTT64N25P