IXTP3N100D2

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IXTP3N100D2概述

TO-220AB N-CH 1000V 3A

通孔 N 通道 3A(Tc) 125W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3A 3-Pin3+Tab TO-220AB


富昌:
N-Channel 1000 V 3 A 5.5 Ω Depletion Mode Power Mosfet - TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin3+Tab TO-220AB


IXTP3N100D2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 125 W

漏源极电压Vds 1000 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 67 ns

输入电容Ciss 1020pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTP3N100D2
型号: IXTP3N100D2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-220AB N-CH 1000V 3A

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