IXTA02N250HV

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IXTA02N250HV概述

TO-263AB N-CH 2500V 0.2A

N-Channel 2500V 200mA Tc 83W Tc Surface Mount TO-263AB


得捷:
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB


艾睿:
Amplify electronic signals and switch between them with the help of Ixys Corporation&s;s IXTA02N250HV power MOSFET. Its maximum power dissipation is 83000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin2+Tab TO-263ABVHV


Win Source:
MOSFET N-CH 2500V 200MA TO263AB / N-Channel 2500 V 200mA Tc 83W Tc Surface Mount TO-263AA


IXTA02N250HV中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 2500 V

连续漏极电流Ids 0.2A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 116pF @25VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTA02N250HV
型号: IXTA02N250HV
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-263AB N-CH 2500V 0.2A
替代型号IXTA02N250HV
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