IXTN320N10T参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTN320N10T概述

Trans MOSFET N-CH 100V 320A 4Pin SOT-227B

N-Channel 100V 320A Tc 680W Tc Chassis Mount SOT-227B

得捷:
MOSFET N-CH 100V 320A SOT-227B

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 4-Pin SOT-227B

Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 320A 4-Pin SOT-227B

IXTN320N10T中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 680 W

漏源极电压Vds 100 V

耗散功率Max 680W Tc

封装参数

安装方式 Chassis

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTN320N10T

型号： IXTN320N10T

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans MOSFET N-CH 100V 320A 4Pin SOT-227B