IXTA1N170DHV参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXTA1N170DHV概述

N沟道 1.7kV 1A

N-Channel 1700V 1A Tc 290W Tc Surface Mount TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263

立创商城:
N沟道 1.7kV 1A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.7KV

Verical:
Trans MOSFET N-CH 1.7KV 3-Pin2+Tab TO-263AA

IXTA1N170DHV中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 290 W

漏源极电压Vds 1700 V

上升时间 38 ns

输入电容Ciss 3090pF @25VVds

下降时间 216 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IXTA1N170DHV

型号： IXTA1N170DHV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：N沟道 1.7kV 1A