IXFT26N50

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IXFT26N50概述

TO-268 N-CH 500V 26A

N-Channel Enhancement Mode High dv/dt, Low trr, HDMOS™ Family

Features

• International standard packages

• Low RDS onHDMOS™ process

• Rugged polysilicon gate cell structure

• Unclamped Inductive Switching UIS rated

• Low package inductance

\- easy to drive and to protect

• Fast intrinsic Rectifier

Applications

• DC-DC converters

• Synchronous rectification

• Battery chargers

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• DC choppers

• AC motor control

• Temperature and lighting controls

• Low voltage relays

IXFT26N50中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 200 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 4200pF @25VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXFT26N50
型号: IXFT26N50
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-268 N-CH 500V 26A

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