IXGP12N100A参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGP12N100A图片1

IXGP12N100A图片2

IXGP12N100A图片3

IXGP12N100A图片4

IXGP12N100A概述

Igbt 1000V 24A 100W To220ab

IGBT 1000V 24A 100W TO-220AB

得捷:
IGBT 1000V 24A 100W TO220AB

IXGP12N100A中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 100 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP12N100A

型号： IXGP12N100A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1000V 24A 100W To220ab