N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列
一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™
欧时:
MOSFET 500V 112A Polar3 HiPerFET SOT227B
得捷:
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
立创商城:
IXFN132N50P3 五件套
贸泽:
MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V
艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXFN132N50P3 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1500000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology.
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B
Newark:
MOSFET MODULE, N-CH, 500V, 112A, SOT-227
通道数 1
漏源极电阻 0.039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.5 kW
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
上升时间 9 ns
输入电容Ciss 18600pF @25VVds
额定功率Max 1500 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1500W Tc
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20