IXFN132N50P3

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IXFN132N50P3概述

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™


欧时:
MOSFET 500V 112A Polar3 HiPerFET SOT227B


得捷:
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B


立创商城:
IXFN132N50P3 五件套


贸泽:
MOSFET 500V 112A 0.039Ohm PolarP3 Power MOSFET


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 112 A, 500 V, 0.039 ohm, 10 V, 5 V


艾睿:
In addition to amplifying electronic signals, you&s;ll be able to switch between various lines with the IXFN132N50P3 power MOSFET, developed by Ixys Corporation. Its maximum power dissipation is 1500000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 112A 4-Pin SOT-227B


Newark:
MOSFET MODULE, N-CH, 500V, 112A, SOT-227


IXFN132N50P3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.039 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.5 kW

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 18600pF @25VVds

额定功率Max 1500 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500W Tc

封装参数

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

长度 38.23 mm

宽度 25.07 mm

高度 9.6 mm

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2016/06/20

数据手册

在线购买IXFN132N50P3
型号: IXFN132N50P3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列 一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™ ### MOSFET 晶体管,IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备

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