IXTJ4N150

IXTJ4N150图片1
IXTJ4N150概述

TO-247 N-CH 1500V 2.5A

通孔 N 通道 1500 V 2.5A(Tc) 110W(Tc) TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO247


贸泽:
MOSFET High Voltage Power MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 1.5KV 2.5A 3-Pin3+Tab TO-247 ISO


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1500V; 2.5A; 110W; ISOTO247™; 900ns


IXTJ4N150中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 110 W

漏源极电压Vds 1500 V

连续漏极电流Ids 2.5A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1576pF @25VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 6.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXTJ4N150
型号: IXTJ4N150
制造商: IXYS Semiconductor
描述:TO-247 N-CH 1500V 2.5A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台