IXGF25N250参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGF25N250概述

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 30A 114000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAC

IGBT NPT 2500 V 30 A 114 W 通孔 ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 30A 3-Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAC

DeviceMart:
IGBT 2500V 30A 114W I4-PAK

IXGF25N250中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 114000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

额定功率Max 114 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGF25N250

型号： IXGF25N250

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 2500V 30A 114000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAC