IXGQ96N30TCD1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXGQ96N30TCD1概述

IGBT 320V 96A TO3P

IGBT 沟道 320 V 96 A 通孔 TO-3P

得捷:
IGBT 320V 96A TO3P

Win Source:
IGBT 320V 96A TO3P / IGBT Trench 320 V 96 A Through Hole TO-3P

IXGQ96N30TCD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 320 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ96N30TCD1

型号： IXGQ96N30TCD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 320V 96A TO3P