IXA20RG1200DHGLB-TRR

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IXA20RG1200DHGLB-TRR中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 125 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 9

封装 SMD-9

外形尺寸

封装 SMD-9

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXA20RG1200DHGLB-TRR
型号: IXA20RG1200DHGLB-TRR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Igbt 1200V 32A 125W Smpd

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