IXBH10N300HV参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXBH10N300HV图片1

IXBH10N300HV概述

Igbt 3000V 20A 140W To247ad

IGBT - 3000 V 34 A 180 W 表面贴装型 TO-263HV

得捷:
IGBT 3000V 20A 140W TO247AD

艾睿:
Bipolar MOS Transistor

IXBH10N300HV中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 1.6 µs

额定功率Max 180 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBH10N300HV

型号： IXBH10N300HV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 3000V 20A 140W To247ad