IXGH40N120A2

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IXGH40N120A2概述

IXGH40N120A2 系列 1200 V 75 A 通孔 高压 IGBT - TO-247-3

IGBT PT 通孔 TO-247AD(IXGH)


得捷:
IGBT 1200V 75A 360W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 75A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
IGBT 1200V 75A 360W TO247 / IGBT PT 1200 V 75 A 360 W Through Hole TO-247AD


IXGH40N120A2中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 360000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 360 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH40N120A2
型号: IXGH40N120A2
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXGH40N120A2 系列 1200 V 75 A 通孔 高压 IGBT - TO-247-3

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