IXGR24N120C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR24N120C3D1概述

Igbt 1200V 48A 200W Isoplus247

IGBT PT 1200V 48A 200W Through Hole ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 1200V 48A 200W ISOPLUS247

贸泽:
IGBT Transistors 48 Amps 1200V 2.75 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 48A 200000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

DeviceMart:
IGBT PT 1200V 48A DIO ISOPLUS247

IXGR24N120C3D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200 W

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 220 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR24N120C3D1

型号： IXGR24N120C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1200V 48A 200W Isoplus247