IXXH40N65B4参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXXH40N65B4概述

IGBT 晶体管 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT

IGBT PT 650V 120A 455W Through Hole TO-247 IXXH

得捷:
IGBT 650V 120A 455W TO247AD

贸泽:
IGBT 晶体管 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT

DeviceMart:
IGBT 650V 120A 455W TO247AD

IXXH40N65B4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 455 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 455 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXH40N65B4

型号： IXXH40N65B4

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 650V/120A TRENCH IGBT GENX4 XPT