IXBL20N300C参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXBL20N300C图片1

IXBL20N300C概述

IGBT 3000V

IGBT - 通孔 ISOPLUSi5-Pak™

得捷:
IGBT 3000V

贸泽:
MOSFET

艾睿:
Monolithic Bipolar MOS Transistor

IXBL20N300C中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 864 ns

额定功率Max 417 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 ISOPLUSi5-Pak

外形尺寸

封装 ISOPLUSi5-Pak

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBL20N300C

型号： IXBL20N300C

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 3000V