IXGX35N120B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX35N120B概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 350000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT PT 1200 V 70 A 350 W 通孔 PLUS247™-3

得捷:
IGBT 1200V 70A 350W PLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 70A 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX35N120B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 350000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 350 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

高度 21.34 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX35N120B

型号： IXGX35N120B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 70A 350000mW 3Pin3+Tab PLUS 247