IXGX50N120C3H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX50N120C3H1概述

Igbt 1200V 95A 460W Plus247

IGBT PT 1200V 95A 460W Through Hole PLUS247™-3

得捷:
IGBT 1200V 95A 460W PLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 95A 460000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX50N120C3H1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 75 ns

额定功率Max 460 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 460000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGX50N120C3H1

型号： IXGX50N120C3H1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1200V 95A 460W Plus247