Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 150000mW 3Pin2+Tab TO-263AA
IGBT PT 表面贴装型 TO-263(IXGA)
得捷: IGBT 1200V 30A 150W TO263AA
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 30A 3-Pin2+Tab TO-263AA
耗散功率 150000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
额定功率Max 150 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册