IXXH80N65B4参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXXH80N65B4概述

Igbt 650V 160A 625W To247ad

IGBT PT 650V 160A 625W Through Hole TO-247 IXXH

得捷:
IGBT 650V 160A 625W TO247AD

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 625000mW Automotive 3-Pin3+Tab TO-247AD

DeviceMart:
IGBT 650V 160A 625W TO247AD

IXXH80N65B4中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 625 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXH80N65B4

型号： IXXH80N65B4

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 160A 625W To247ad