IXYH75N65C3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IXYH75N65C3概述

Igbt 650V 170A 750W To247

IGBT PT 650V 170A 750W Through Hole TO-247 IXYH

得捷:
IGBT 650V 170A 750W TO247

IXYH75N65C3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 750 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYH75N65C3

型号： IXYH75N65C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 170A 750W To247