IXYP10N65C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXYP10N65C3D1图片1

IXYP10N65C3D1概述

Igbt 650V 30A 160W To-220

IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220

得捷:
IGBT 650V 30A 160W TO-220

IXYP10N65C3D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 170 ns

额定功率Max 160 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYP10N65C3D1

型号： IXYP10N65C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 30A 160W To-220