IXXH30N65B4

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IXXH30N65B4概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 650V 65A 230W Through Hole TO-247 IXXH


得捷:
IGBT 650V 65A 230W TO247AD


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


DeviceMart:
IGBT 650V 65A 230W TO247AD


IXXH30N65B4中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 230000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 230 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXH30N65B4
型号: IXXH30N65B4
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 230000mW Automotive 3Pin3+Tab TO-247AD

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