IXGK82N120B3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGK82N120B3图片1

IXGK82N120B3图片2

IXGK82N120B3图片3

IXGK82N120B3概述

Igbt 1200V 230A 1250W To264

IGBT PT 通孔 TO-264（IXGK）

得捷:
IGBT 1200V 230A 1250W TO264

贸泽:
IGBT Transistors GenX3 1200V IGBTs

IXGK82N120B3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 1250 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-264-3

外形尺寸

封装 TO-264-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGK82N120B3

型号： IXGK82N120B3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 1200V 230A 1250W To264