Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin3+Tab TO-3P
IGBT - 1200 V 40 A 190 W 通孔 TO-3P
得捷: IGBT 1200V 40A 190W TO3P
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 40A 3-Pin3+Tab TO-3P
耗散功率 190000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 190 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
高度 20.3 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册