IXXX300N60B3

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IXXX300N60B3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT PT 通孔 PLUS247™-3


得捷:
IGBT 600V 550A 2300W TO247


艾睿:
Don&s;t be afraid to step up the amps in your device when using this IXXX300N60B3 IGBT transistor from Ixys Corporation.


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXXX300N60B3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 2300000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 2300 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2300000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXX300N60B3
型号: IXXX300N60B3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 550A 2300000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

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