IXGR35N120BD1概述
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 250000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
IGBT - 1200 V 54 A 250 W 通孔 ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 1200V 54A 250W ISOPLUS247
贸泽:
IGBT Transistors 23 Amps 1200V 3.7 Rds
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 54A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
IXGR35N120BD1中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 250000 mW
击穿电压集电极-发射极 1200 V
反向恢复时间 40 ns
额定功率Max 250 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 250000 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
外形尺寸
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IXGR35N120BD1
型号： IXGR35N120BD1
制造商：
IXYS Semiconductor
描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 250000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247