IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。高功率密度和低 VCEsat 方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压 短路容量，确保 10usec 正向通态电压温度系数 可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管 国际标准和专有高电压封装 ### IGBT 分立元件和模块，IXYS绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
IGBT 分立元件，IXYS XPT 系列
IXYS 的 XPT™ 系列分立件 IGBT 采用超轻穿通薄芯片技术，可降低热电阻和能源损耗。 这些设备提供快速切换时间，具有低尾线电流，并提供各种工业标准和专有封装。
高功率密度和低 VCEsat
方形反向偏置安全工作区域 RBSOA 高达额定击穿电压
短路容量，确保 10usec
正向通态电压温度系数
可选 Co-Pack Sonic-FRD™ 或 HiPerFRED™ 二极管
国际标准和专有高电压封装
得捷:
IGBT MOD 1200V 165A 690W SOT227B
欧时:
IGBT 1200V 76A XPT GenX3 w/Diode SOT227B
艾睿:
1200V XPTTM IGBTGenX3TM w/ Diode
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXYN100N120B3H1 IGBT, N-CH, 1.2KV, 165A, SOT-227B New
针脚数 4
极性 N-Channel
耗散功率 690 W
击穿电压集电极-发射极 1200 V
输入电容Cies 6nF @25V
额定功率Max 690 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 690 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2016/06/20