IXGY2N120参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGY2N120概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5A 25000mW 3Pin2+Tab TO-252AA

IGBT PT 1200V 5A 25W Surface Mount TO-252AA

得捷:
IGBT 1200V 5A 25W TO252AA

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 5A 3-Pin2+Tab TO-252AA

IXGY2N120中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 1.20 kV

额定电流 5.00 A

耗散功率 25000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGY2N120

型号： IXGY2N120

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1200V 5A 25000mW 3Pin2+Tab TO-252AA