IXGQ150N30TCD1参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGQ150N30TCD1图片1

IXGQ150N30TCD1概述

TRANS IGBT CHIP 300V 120A 3Pin3+TAB TO-3P

IGBT 300V 150A Through Hole TO-3P

得捷:
IGBT 300V 150A TO3P

贸泽:
IGBT Transistors 150 Amps 300V

IXGQ150N30TCD1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGQ150N30TCD1

型号： IXGQ150N30TCD1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：TRANS IGBT CHIP 300V 120A 3Pin3+TAB TO-3P