IXGN82N120B3H1

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IXGN82N120B3H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B

IGBT 模块 PT 单路 底座安装 SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 1200V 145A 595W SOT227B


贸泽:
IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 145A 4-Pin SOT-227B


IXGN82N120B3H1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 595000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

输入电容Cies 7.9nF @25V

额定功率Max 595 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 595000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGN82N120B3H1
型号: IXGN82N120B3H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 145A 595000mW 4Pin SOT-227B

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