IXYT30N65C3H1HV参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXYT30N65C3H1HV图片1

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IXYT30N65C3H1HV概述

Igbt 650V 60A 270W To268hv

IGBT PT 650V 60A 270W Surface Mount TO-268

得捷:
IGBT 650V 60A 270W TO268HV

IXYT30N65C3H1HV中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 120 ns

额定功率Max 270 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXYT30N65C3H1HV

型号： IXYT30N65C3H1HV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 650V 60A 270W To268hv