IXGR40N60B参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGR40N60B概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247

IGBT - 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 600V 70A 200W ISOPLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

Win Source:
IGBT 600V 70A 200W ISOPLUS247

IXGR40N60B中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 200 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUS-247

外形尺寸

高度 21.34 mm

封装 ISOPLUS-247

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGR40N60B

型号： IXGR40N60B

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 200000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247