IXYP20N65C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXYP20N65C3D1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-220AB

IGBT PT 650V 50A 200W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 650V 18A 50W TO220

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3-Pin3+Tab TO-220AB

IXYP20N65C3D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 200000 mW

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 135 ns

额定功率Max 200 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXYP20N65C3D1

型号： IXYP20N65C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 200000mW 3Pin3+Tab TO-220AB