IXBF50N360参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBF50N360概述

Trans IGBT Chip N-CH 3600V 70A 290000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK

IGBT 3600V 70A 290W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

得捷:
IGBT 3600V 70A 290W I4-PAK

IXBF50N360中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 3600 V

反向恢复时间 1.7 µs

额定功率Max 290 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 i4-Pac

外形尺寸

封装 i4-Pac

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBF50N360

型号： IXBF50N360

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 3600V 70A 290000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I4-PAK