IXGH56N60A3

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IXGH56N60A3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3Pin3+Tab TO-247AD

IGBT PT 600 V 150 A 330 W 通孔 TO-247AD


得捷:
IGBT 600V 150A 330W TO247


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD


Win Source:
IGBT 600V 150A 330W TO247


IXGH56N60A3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 330000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 330 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGH56N60A3
型号: IXGH56N60A3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 330000mW 3Pin3+Tab TO-247AD
替代型号IXGH56N60A3
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