IXXH75N60C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXXH75N60C3D1概述

Igbt 600V 150A 750W To247

IGBT PT 600V 150A 750W Through Hole TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 150A 750W TO247

立创商城:
IXXH75N60C3D1

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 150A 750000mW TO-247

IXXH75N60C3D1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 750000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 25 ns

额定功率Max 750 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXH75N60C3D1

型号： IXXH75N60C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V 150A 750W To247