IXBT12N300HV参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBT12N300HV概述

IGBT 晶体管 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT

IGBT - 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 3000V 30A 160W TO268

贸泽:
IGBT 晶体管 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 3000V 30A 160000mW 3-Pin2+Tab D3PAK

IXBT12N300HV中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 160 W

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 1.4 µs

额定功率Max 160 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXBT12N300HV

型号： IXBT12N300HV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 DISC IGBT BIMSFT-VERYHIVOLT