IXGX120N60B3

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IXGX120N60B3概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT PT 600 V 280 A 780 W 通孔 PLUS247™-3


得捷:
IGBT 600V 280A 780W PLUS247


贸泽:
IGBT Transistors 120Amps 600V


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247


IXGX120N60B3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 780 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

额定功率Max 780 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 780000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGX120N60B3
型号: IXGX120N60B3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 600V 280A 780000mW 3Pin3+Tab PLUS 247
替代型号IXGX120N60B3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXGX120N60B3

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

IXGX120N60B

IXYS Semiconductor

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