IXGP30N60C3D4参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGP30N60C3D4概述

IGBT 600V 60A 220W TO220AB

IGBT PT 600V 60A 220W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 600V 60A 220W TO220AB

贸泽:
IGBT Transistors 30 Amps 600V

富昌:
IXGP30N60C3D4 Series 600 V 30 A Flange Mount High-Speed PT IGBT - TO-220AB

IXGP30N60C3D4中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 220 W

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 60 ns

额定功率Max 220 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.66 mm

宽度 4.83 mm

高度 16 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP30N60C3D4

型号： IXGP30N60C3D4

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 600V 60A 220W TO220AB