IXYH80N90C3

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IXYH80N90C3概述

IXYH80N90C3 900 Vce 80 A 34 ns ton GenX3 高速 IGBT - TO-247-3

IGBT 900V 165A 830W Through Hole TO-247 IXYH


得捷:
IGBT 900V 165A 830W TO247


贸泽:
IGBT 晶体管 DISC IGBT XPT-GENX3


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin3+Tab TO-247


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 900V 165A 830000mW 3-Pin3+Tab TO-247


IXYH80N90C3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 830000 mW

击穿电压集电极-发射极 900 V

额定功率Max 830 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 830000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXYH80N90C3
型号: IXYH80N90C3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYH80N90C3 900 Vce 80 A 34 ns ton GenX3 高速 IGBT - TO-247-3

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