IXXR110N65B4H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXXR110N65B4H1概述

IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT

IGBT PT 650 V 150 A 455 W 通孔 ISOPLUS247™

得捷:
IGBT 650V 150A 455W ISOPLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 455000mW Automotive 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247

IXXR110N65B4H1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 650 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 455 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 455000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXXR110N65B4H1

型号： IXXR110N65B4H1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT Transistors 650V/150A TRENCH IGBT GENX4 XPT